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日本高纯度相变存储材料锗锑碲Ge2Sb2Te5靶材
  • 日本高纯度相变存储材料锗锑碲Ge2Sb2Te5靶材
产品属性:
是否有现货:否 | 加工定制:是 | 种类:化合物半导体 | 特性:相变存储材料 | 用途:溅射靶材 | 型号:锗锑碲 | 规格:Ge2Sb2Te5靶 | 商标:日本高纯度 | 包装:真空
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