一、PECVD原理：

  化学气象沉积（chemical vapor deposition,简称CVD）是在一定的温度条件下，混合气体之间与基材表面相互作用，并且进一步在基材表面形成金属膜或者化合物薄膜，使材料表面改性，以达到耐磨，抗氧化、抗腐蚀性等性能，在电子，光学，摩擦力学，机械应用方面有很多应用。

 等离子化学气象沉积（plasma enhanced chemical vapor deposition,简称PECVD）也叫做等离子体辅助化学气象沉积（简称PACVD）则是依靠等离子体中得电子的动能去激活气象得化学反应，由于等离子体是离子、电子、中性原子和分子的集合体，因此大量的能量存在于等离子的内能之中。PECVD是冷等离子体，是通过低压气体放电而形成的，一般是在几帕到几百帕的低气压下，通过射频、中频等放电所产生。

 

二、PECVD的特点：

  与常规的热CVD比较，PECVD具有更多的优点

  1、沉积温度低：热CVD的温度一般高于600度，其应用范围非常有限，大部分只能用于实验功能，PECVD的沉积温度可以降到200度以内，这是由于其内能，也就是电子所具备的高能量所提供的。此优点决定了其可以广泛的应用于各种金属、半导体、电子等领域。

  2、沉积速率及均匀性得到提高：PECVD在辉光放电中所用的压力比较低，反应物中分子、原子等离子粒团与电子之间的碰撞、散射、电离等作用增强，膜层厚度的均匀性得到改善，针孔减少，组织致密，内应力少，不易产生微裂纹。

  3、可以获得性能 的膜层：PECVD的辉光放电处于非平衡状态，及能量耗散状态，其沉积产物呈多样性，可以获得热分解所不能得到的物质， 典型的，热分解 得到石墨薄膜，PECVD则可以得到金刚石薄膜。

 

三、设备特点

1、设备整体尺寸：2000mm*18000mm*1600mm（宽*深*高）

2、真空室尺寸：直径700、900、1100mm

3、平行板电极尺寸：直径600、800、1000mm

4、电极冷却及调节：水冷，可调节

5、真空系统：粗抽泵+分子泵机组

6、极限真空度：1*10-6mabr。

7、溅射电源：AE 射频直流电源3KW-5KW-10KW

8、工艺匹配：全自动匹配

9、气体控制：MKS 质量流量控制器 4路

10、真空检测：MKS 薄膜压力规

11、加热系统：石英管加热或热电阻加热 5KW-8KW-12KW

12、控制方式：全自动控制系统

 

 

四、PECVD设备的应用

1、沉积DLC膜层：用与机械、电子、医疗等领域

2、沉积氮化硅：半导体行业、微电子行业

3、沉积TIN膜层：以及TIC等硬质膜层，比离子镀 光亮，

美观

4、 管：CNTs是PECVD技术的一个新的应用

5、太阳能薄膜电池：非晶硅太阳能电池的制备