碗式高压硅堆HVB25KV2A术立硅堆
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产品详情
“碗式高压硅堆HVB25KV2A术立硅堆”参数说明
| 是否有现货： | 是 | 认证： | RoHs |
| 品牌： | 术立电子 | 应用范围： | 普通工业 |
| 整流元件： | 碗式高压硅堆 | 功率特性： | 小功率 |
| 频率特性： | 低频 | 交流输入电压： | 咨询 |
| 直流输出电压： | 咨询 | 直流输出电流： | 咨询 |
| 正向峰值电压： | 咨询 | 反向重复峰值电压： | 咨询 |
| 反向重复峰值电流： | 咨询 | 绝缘电压： | 咨询 |
| 工作结温： | 咨询 | 效率： | 咨询 |
| 型号： | HVB25KV2A | 规格： | 可定制 |
| 商标： | HVDIODE | 包装： | 环氧树脂封装 |
“碗式高压硅堆HVB25KV2A术立硅堆”详细介绍
碗式高压硅堆HVB25KV2A术立硅堆
高
碗式高压硅堆HVB25KV2A术立硅堆
压整流组件安装根据外形可分为：半圆型、圆柱型、长方型、圆环型、伞型、线路板型等多种类型，可以根据高压电路的参数需求合理选择。
高压整流组件根据研发设计要求可机动灵活的增减参数配置，安装方便，后期维护成本低。
高压整流组件（单体）参数范围：
反向耐压：1KV～500KV;正向电流：1mA～100A;反向恢复时间：35nS～2000nS.工作频率：50Hz～300KHz.
我们的产品具有：
低漏流、高浪涌、耐大电流冲击；
高反压、低正向、雪崩击穿保护；
响应快、效率高、超快恢复时间；
高耐热性能，PN结点温度范围125℃～175℃可选；
耐潮湿、高绝缘等特性，符合国际工艺标准；
严格执行ISO9001国际质量管理体系把控产品品质，保证产品连续工作可靠运行；
亦可根据需要设计定制客户的专属产品。
碗式高压硅堆HVB25KV2A术立硅堆
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