芯飞凌省吸收回路隔离芯片S6613S
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产品详情
“芯飞凌省吸收回路隔离芯片S6613S”参数说明
是否有现货: | 是 | 封装: | Sop |
功能结构: | 模拟集成电路 | 制作工艺: | 半导体集成电路 |
导电类型: | 双极型 | 外形: | 扁平型 |
集成度高低: | 大规模集成电路 | 应用领域: | 标准通用 |
型号: | S6613s | 规格: | Sop-7 |
商标: | 芯飞凌 |
“芯飞凌省吸收回路隔离芯片S6613S”详细介绍
提示:以下模板中任意文字及图片均可执行修改、删除的操作,更多产品描述有助于增加产品对买家的吸引力及搜索曝光率。
基本介绍
(产品的基本描述,如定义、功能等)
S6613/4是一系列高精度的原边反馈LED恒流控制
开关芯片。工作在电感电流断续模式,适用于
85Vac-265Vac全范围输入电压的隔离反激式LED恒
流电源。
S6613/4芯片内部集成高压功率开关,采用
退磁检测技术和供电技术,无需辅助绕组检测和供
电;在简化了整体方案的外围元件数的同时,芯片
和系统本身具有性价比。
此款芯片内置线电压补偿,带有高精度电流取样,
无需增加电流补偿电路便可实现高电流精度。芯片
内部集成了多种保护功能:欠压锁定, 消隐,
LED开路保护,短路保护,过热调节等功能,大大
增加了系统的稳定性。
S6613S采用SOP-7封装,S6613D与S6614D采用DIP-7
封装。
开关芯片。工作在电感电流断续模式,适用于
85Vac-265Vac全范围输入电压的隔离反激式LED恒
流电源。
S6613/4芯片内部集成高压功率开关,采用
退磁检测技术和供电技术,无需辅助绕组检测和供
电;在简化了整体方案的外围元件数的同时,芯片
和系统本身具有性价比。
此款芯片内置线电压补偿,带有高精度电流取样,
无需增加电流补偿电路便可实现高电流精度。芯片
内部集成了多种保护功能:欠压锁定, 消隐,
LED开路保护,短路保护,过热调节等功能,大大
增加了系统的稳定性。
S6613S采用SOP-7封装,S6613D与S6614D采用DIP-7
封装。
性能特点
(除基本功能外的其它特质,例如工作时长、操作简便性等)
? 无需辅助绕组检测和供电
? 集成高耐压功率开关器件
18W 以内无需吸收回路
? ±5% LED 输出电流精度
? LED 开路、短路保护
? 内置输入线电压补偿
? 逐周期的电流限制及 消隐
? 过热调节功能
? 集成高耐压功率开关器件
18W 以内无需吸收回路
? ±5% LED 输出电流精度
? LED 开路、短路保护
? 内置输入线电压补偿
? 逐周期的电流限制及 消隐
? 过热调节功能
技术参数
(例如材质、工艺、尺寸的技术标准等)
应用极限参数 (Note1)
参数
范围
VCC – GND
-0.3V ~ 8V
C- GND
-0.3V ~ 700V
CS - GND
-0.8V ~ 8V
VCC- GND
-0.3V ~ 8V
工作温度范围
-20℃ to +125℃
结温范围
-40℃ to +150℃
存储温度范围
-60℃ to +150℃
静电保护模式
2000V (Note2)
Note1 : 最大极限值是指在实际应用中超出该范围,将极有可能对芯片造成损坏。以上应用极限值表示出了芯片可承受的应力值,但并不建议芯片在此极限条件或超出“ 工作条件”下工作。芯片长时间处于最大额定工作条件,将影响芯片的可靠性。
Note2 : 人体模型,100pF电容通过1.5K ohm电阻放电。
参数
范围
VCC – GND
-0.3V ~ 8V
C- GND
-0.3V ~ 700V
CS - GND
-0.8V ~ 8V
VCC- GND
-0.3V ~ 8V
工作温度范围
-20℃ to +125℃
结温范围
-40℃ to +150℃
存储温度范围
-60℃ to +150℃
静电保护模式
2000V (Note2)
Note1 : 最大极限值是指在实际应用中超出该范围,将极有可能对芯片造成损坏。以上应用极限值表示出了芯片可承受的应力值,但并不建议芯片在此极限条件或超出“ 工作条件”下工作。芯片长时间处于最大额定工作条件,将影响芯片的可靠性。
Note2 : 人体模型,100pF电容通过1.5K ohm电阻放电。
使用说明
(例如使用场所、工作原理、产品结构、安全操作说明等)
1)MOS电路操作注意事项:
静电在很多地方都会产生,采取下面的预防措施,可以有效防止MOS电路由于受静电放电影响而引起的损坏:
? 操作人员要通过防静电腕带接地。
? 设备外壳必须接地。
? 装配过程中使用的工具必须接地。
? 必须采用导体包装或抗静电材料包装或运输。
2)声明:
? 芯飞凌保留说明书的更改权,恕不另行通知!
? 任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能,买方有责任在使用芯飞凌产品进行系统设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施,以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生!
? 产品提升永无止境,我公司将竭诚为客户提供产品!
静电在很多地方都会产生,采取下面的预防措施,可以有效防止MOS电路由于受静电放电影响而引起的损坏:
? 操作人员要通过防静电腕带接地。
? 设备外壳必须接地。
? 装配过程中使用的工具必须接地。
? 必须采用导体包装或抗静电材料包装或运输。
2)声明:
? 芯飞凌保留说明书的更改权,恕不另行通知!
? 任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能,买方有责任在使用芯飞凌产品进行系统设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施,以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生!
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采购须知
(例如发货时间、运输方式、售后服务事项等)
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