技术特点：

高探测效率：65%@700 nm；         500 um光敏面积；

TTL数字信号输出；                       低暗计数；

低后脉冲；                                  低时间抖动；

应用领域：

荧光测量；                                  激光测距；

量子通信；                                  光谱测量；                                        

光子关联；                                  自适应光学；

 

               Fig1. 量子效率   

                                                                               

单光子探测器

Fig3. Si单光子探测器结构图

 

产品参数：

参数规格 参数	值	单位
供电电压*1	22 -28	V
供电电流	0.5	A
光谱响应范围	200 ----1060	nm
探测效率 @200 nm @700 nm @850 nm @1060 nm	2 65 45 3	%
暗计数	200 -2000	cps
死时间	50	ns
后脉冲	3 - 8	%
时间抖动	300 - 500	ps
饱和计数率*2	10	Mcps
光敏面积	500	um
APD制冷温度	-20	℃
工作温度	-15 - +50	℃
输出信号电平	LVTTL
输出信号脉宽	530	ns
门脉冲输入电平 Disable=LVTTL low Enable=LVTTL high	0-0.4 2 -3.3	V

产品说明：

1.         不正确的电压可能损坏模块，应保证接入电源不高于28V，并可提供足够电流。

2.         APD属于高灵敏光电探测器件，在雪崩状态下应控制输入光信号强度，过高的光强可能损坏APD，这种损害可能降低APD的探测灵敏度，严重时甚至会造成二极管击穿。

3.         在特殊的应用场景下，应保证模块的工作温度不超过50 ℃，过高的温度可能导致APD工作温度上升，从而引起暗计数水平升高。

4.         SPDSi的默认死时间为50ns。死时间设定会影响模块的最大计数率，当死时间设定在50ns时，最大计数率为10Mcps，如您的应用对死时间设定有特别要求，请在订购时与我们联系。

5.         同样，输出信号的脉宽也会影响最大计数率，典型脉宽为30 ns，如您的应用对输出信号有特别要求，请在订购时与我们联系。

6.         SPDSi支持空间和光纤接口接入。

单光子探测器选型：