钨及其合金广泛应用于电子、电光源工业。用于制造各种照明用灯泡，电子管灯丝使用的是具有抗下垂性能的掺杂钨丝。掺杂钨丝中添加铼，由含铼量低的钨铼合金丝与含铼量高的钨铼合金丝制造的热电偶，其测温范围极宽 (0 ～ 2500 ℃ ) ，温度与热电动势之间的线性关系好，测温反应速度快 (3 秒 ) ，价格相对便宜，是在 气氛中进行测量的较理想的热电偶。利用金属钨的高熔点，在不丧失其机械完整性的前提下，成为电子的一种热离子发射体，比如作扫描电 ( 子显微 ) 镜和透射电 ( 子显微 ) 镜的电子源。还用于作 X 射线管的灯丝。在 X 射线管中，钨丝产生的电子被加速，使之碰撞钨和钨铼合金阳极，再从阳极上发射出 X 射线。为产生 X 射线要求钨丝产生的电子束的能量非常之高，因此被电子束碰撞的表面上的斑点非常之热，故在大多数 X 射线管中使用的是转动阳极，大尺寸的钨丝还用作真空炉的加热元件。 在电子工业尤其是集成电路制造中，利用化学气相沉积 (CVD) 在衬底上形成薄膜的技术，是一项与粉冶技术生产钨的体材料 ( 块材 ) 产品完全不同的工艺。 常见的是用 作 CVD 沉积过程的钨源。室温下的 WF6 是液体，但通过待涂覆的零件时 WE6 因本身 的蒸气压而与 气合流，在大约 300 ℃通过 WF6+3H2→W+6HF 反应而有选择地涂在工件表面上。如沉积在集成电路上形成的钨通道 (vias) 作为小的金属插头可连接到电路板的另一条水平导线上。这种小插头的直径为 0.4 毫米，长径比为 2.5 ，以后还可以把直径缩小到 0.1 毫米，使长径比达到 5 。由于钨具有优异的导电性，且不与周围的材料反应等条件，因此 CVD 法是填充通道、净化不需要钨的表面的 方法。