主要特点：

最大化降低客户总拥有成本（TCO）
键合温度450度，压力10KN
的硅片低压契型补偿系统以提高良率
温度均匀性： <+/- 1% ；压力均匀性：<+/- 5%
工艺菜单与其他键合系统通用
高真空键合腔室 (可低至 10-5 mbar，使用分子泵)
开放式腔室设计便于快速转换和维护
基于Windows 的控制软件和操作界面
最小化占地占地面积--- 200 mm键合系统占地 0.88 m2

应用范围

主要应用于MEMS制造、微流体芯片、化合物半导体的薄片处理、晶圆级 封装以及3D互联、TSV工艺。

图1
图2



技术参数：

 

 

加热器尺寸= 晶片尺寸（mm） 150mm 或200mm 硅片直径 150mm加热器：单一小片或碎片；200mm加热器：100mm 键合卡盘/对准系统 150mm加热器 EVG610，EVG620，EVG6200 200mm加热器 EVG6200，MBA300，Smartview 键合腔 接触压力 3.5KN，10KN，20KN 最高温度 450℃ 真空度 0.1mbar(标配)，1E-5（可选） 阳极键合功率 0-2000V，0-50A 腔室个数 1 上料腔室 手动 工艺菜单 与其他键合设备兼容