全极小功耗霍尔开关，推挽式输出，内置上拉电阻，高灵敏度。 平均静态功耗低至3ua

小电压贴片霍尔元件，良好一致性，深受广大客户的喜爱

  霍尔元件AR127是基于CMOS工艺设计和生产的霍尔IC，元件内部集成了霍尔效应片、电压调节器、休眠唤醒控制电路、信号放大滤波电路、偏移补偿电路、施密特触发器，互补推挽输出。这款IC采用了 的斩稳波技术，因而能够提供准确而稳定的磁开关点，内部的受控时钟机制为霍尔器件和模拟信号处理电路提供时钟源，霍尔传感器AR127通过周期性休眠和唤醒工作，达到降低功耗的作用。唤醒期间检测环境磁场强度，休眠状态保持最后输出状态。

    霍尔磁控开关AR127分为SOT-23、TO-92S，超小 DFN封装，适合用于越来越轻薄的便携移动设备中，例如锂电池供电小电子产品当中，所有封装都符合RoSH环保标准。

产品特性及优点

微功耗3uA

等同敏感N和S极

互补推挽输出

高灵敏度

工作电压2~5V

无铅封装：SOT-23/TO-92/DFN

公司专注霍尔开关的研发生产与销售应用，不断创新与前进，为广大用户提供 霍尔。

　霍尔元件应用霍尔效应的半导体。
　　所谓霍尔效应，是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生横向电位差的物理现象。金属的霍尔效应是1879年被美国物理学家霍尔发现的。当电流通过金属箔片时，若在垂直于电流的方向施加磁场，则金属箔片两侧面会出现横向电位差。半导体中的霍尔效应比金属箔片中 为明显，而铁磁金属在特定温度以下将呈现极强的霍尔效应。
　　利用霍尔效应可以设计制成多种传感器。霍尔电位差UH的基本关系为:
　　UH=RHIB/d （1） RH=1/nq（金属） （2）
　　式中 RH――霍尔系数；n――单位体积内载流子或自由电子的个数；q――电子电量；I――通过的电流；B――垂直于I的磁强度；d――导体的厚度。
　　对于半导体和铁磁金属，霍尔系数表达式和式（2）不同，此处从略。
　　由于通电导线周围存在磁场，其大小和导线中的电流成正比，故可以利用霍尔元件测量出磁场，就可确定导线电流的大小。利用这一原理可以设计制成霍尔电流传感器。其优点是不和被测电路发生电接触，不影响被测电路，不消耗被测电源的功率，特别适合于大电流传感。
　　若把霍尔元件置于电场强度为E、磁场强度为H的电磁场中，则在该元件中将产生电流I，元件上同时产生的霍尔电位差和电场强度E成正比，如果再测出该电磁场的磁场强度，则电磁场的功率密度瞬时值P可由P=EH确定。
　　利用这种方法可以构成霍尔功率传感器。
　　如果把霍尔元件集成的开关按预定位置有规律地布置在物体上，当装在运动物体上的永磁体经过它时，可以从测量电路上测得脉冲信号。根据脉冲信号列可以传感出该运动物体的位移。若测出单位时间内发出的脉冲数，则可以确定其运动速度。