氮化铝陶瓷基板、基片

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氮化铝（AlN）是共价键化合物，原子晶体，属类金刚石氮化物、六方晶系，纤锌矿型的晶体结构， ，呈白色或灰白色，理论密度3.26g/cm3。

氮化铝材料具有如下特性：

(1)高热导率 (理论值约320W/m·K)；
(2)高绝缘性；
(3)低热膨胀系数(4.5×10-6℃)与Si(3.5~4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配；
(4)电性能优良(介电常数、介质损耗、体电阻率、介电强度)；
(5)机械性能好；
(6)耐腐蚀性好；
(7)光传输特性好；

 

　氮化铝陶瓷已成为新一代大规模集成电路、半导体模块及大功率器件的理想的散热和封装材料，大量应用于HBLED、UVLED封装、大功率集成电路、功率模块、RF射频/微波通讯、尊龙人生就是搏网站电子、微电子半导体、影像传输等领域。

氮化铝陶瓷材料具有优良的热传导性、可靠的电绝缘性、低的介电常数和介电损耗，可用于制造高导热无磁骨架材料、电子基片、微波介电材料、耐高温、绝缘及耐腐蚀结构陶瓷材料制品。氮化铝陶瓷还可用作熔炼尊龙人生就是搏网站和半导体材料砷化镓的坩埚、蒸发舟、高温绝缘件、微波介电材料、耐高温及耐腐蚀结构陶瓷及透明氮化铝微波陶瓷制品等。

氮化铝陶瓷技术性能参数表一 

 

分类

项目

单位

指标值

AN170

AN200

AN220

基本性能

颜色

－

灰色

灰色

米色

吸水率

%

0

0

0

体积密度

g/cm3

≥3.30

≥3.30

≥3.23

表面粗糙度

?m

0.1～0.6

0.1～0.6

0.1～0.6

翘曲率

‰

≤2

≤2

≤2

热学性能

热导率（20℃）

W/m.k

≥170

≥200

≥220

热膨胀系数

20℃～300℃

×10-6/℃

4.6

4.6

4.6

40℃～８００℃

×10-6/℃

5.2

5.2

5.2

力学性能

抗弯强度

Mpa

≥450

≥300

≥200

弹性模量

Gpa

320

310

310

莫氏硬度

－

8

8

8

电学性能

抗电强度

KV/mm

≥17

≥16

≥15

体积电阻率

Ω

≥1014

≥1014

≥1013

介电常数

－

9

8.6

8.5

介电损耗

×10-4

2.98

2

2

 

 

氮化铝陶瓷技术性能参数表二
 

性能内容

性能指标

体积密度

≥3.3 g/cm3

吸水率

0%

热导率（20℃）

≥170W/m·k

线膨胀系数（RT-400℃）

4.4×10-6/℃

抗弯强度（Mpa）

≥330

体积电阻率

≥1014Ω·cm

介电常数（1MHz）

9.0

介质损耗

3×10-4

抗电强度

≥15KV/mm

表面粗糙度Ra

0.3～0.5?m（≤20nm）

翘曲度（~/25.4（长度））

0.03～0.05

外观

致密、细晶