特博科技有限公司是英国ICEMOSTECH公司在中国的 代理， 的SOI wafer和
SuperJunction MOSFET是ICEMOS的主营产品，凭借15年的制造经验ICEMOS在世界范围内有着
众多的客户群体，分别在欧洲，美国，日本、韩国和中东设有代理商。


SOI wafer尺寸: 4”(100mm）, 5”（125mm）, 6”（150mm） and  8"（200mm）
SOI Spec. 规格：
    1-    Bonded SOI wafer (绝缘硅上键合硅片）
                         For 4”(100mm）, 5”（125mm）, 6”（150mm）
                    ---- Handle wafer minimum 300um maximum 1000um,
                    ---- Buried Oxide, minimum 0.1 um, maximum 4 um,
                    ---- Device layer minimum 2 um, max 500 um.
                       
                         For 8"（200mm）
                    ---- Handle thickness minimum 500um and maximum 675um,
                    ---- Buried Oxide minimum 0.1 um, maximum 4 um,
                    ---- Device layer minimum 5 um, maximum 500 um.

2-       Si-Si direct wafer bonding (replacement for epi) 硅-硅直接键合，可替代外延片

     100mm, 125mm, 150mm and 200mm, thickness as specified above.

3-       Engineered SOI, Double SOI (DSOI), Trench Isolation SOI (dielectric isolation),
     Cavity SOI (for pressure sensor, gyro and accelerometer sensor, microfludic etc.)
     and finally Through Silicon Via (TSV)  

----  Cavity SOI - Bonded SOI or Silicon silicon DWB wafers with cavities performed within the wafer
---- Multiple SOI 2 or 3 or more layers of SOI designed around your process
---- Structured wafers silicon wafers or SOI with buried electrode layers, vias, interconnect already incorporated
 
    4-     SOI + Trench & Refill
 
  Features
？  Significant die shrink compared to conventional dielectric isolation
    (DI) or junction isolation
？  Bulk quality silicon layer
？  Total device-to-device isolation
？  Lower substrate capacitance than bulk
？  Fully flexible specification on SOI, Trench and refill parameters
5-   Superjunction MOSFET



 
   为了一些客户的紧急需求，英国工厂存有部分现货，欢迎您来电咨询 详细的产品信息！