等离子刻蚀系统

用于高精度加工各种半 导体和绝缘膜的刻蚀装置。利用独自 的电子线圈，生成高密度均一的等离 子。可根据加工材料和目的不同，选 择相应的等离子。　

设备特点：

? 通过 Tornado ICP，可产生稳定高密度的等离子，进行高选择比高精度刻蚀。

? 通过变更ICP 电极，可在更低压区域 地产生等离子，实现低损害。

? 采用大流量排气系统实现广流量多压力范围的使用。

? 通过调整ESC（静电卡盘）和He冷却系统，控制晶圆温度。

? 通过干涉型终点控制器，实现高精度的终点检测， 达到目标刻蚀效果。

 

应用：

? 化合物半导体的刻蚀（GaN，GaAs,InP 等） ? 半导体激光，量子点制
? 硅和碳化硅的纳米级细微刻
? 各种金属膜的刻蚀

选配：

? Tornado ICP Type B
? 增设供给工艺气体系统
? 终点控制器（干涉型，分光型）