GaN on Sapphire氮化 衬底晶片工厂
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产品详情
“GaN on Sapphire氮化 衬底晶片工厂”参数说明
| 加工定制： | 是 | 种类： | 化合物半导体 |
| 特性： | 4英寸 | 用途： | 器件 |
| 型号： | 非掺 | 规格： | 4英寸 |
| 包装： | 晶圆盒 |
“GaN on Sapphire氮化 衬底晶片工厂”详细介绍
GaN on Sapphire氮化 晶片工厂
苏州恒迈瑞材料科技生产供应氮化 复合衬底片，衬底结构为GaN on Sapphire，尺寸目前有2英寸，4英寸。导电类型分为n型非掺杂、n型硅掺杂，及Mg镁掺杂，抛光要求可为单抛或双抛。
氮化 外延厚度：4.5um±0.5um/ 20um±2um
晶向：C-plane(0001)±0.5°
位错密度：≤5x108cm-2
抛光要求：单抛/双抛
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