基本介绍 (产品的基本描述，如定义、功能等)

概述
PT6303 PT6303PT6303PT6303PT6303是一款专为保护 是一款专为保护 是一款专为保护 是一款专为保护 是一款专为保护 是一款专为保护 3串锂离子 /聚合物电 池的聚合物电 池的聚合物电 池的聚合物电 池的聚合物电 池的池保护芯片，可降低因电过充放温 池保护芯片，可降低因电过充放温 池保护芯片，可降低因电过充放温 和/或过流条 件而导致的电池 损坏或寿命 缩短的风险 。
超小型的 MSOPMSOP MSOP-10 封装和 少的外部元件需求使芯片 易于整合至空间有限的电池包里。
±25mV±25mV±25mV±25mV±25mV的过充电检测压 精度 保证 电池 的全容量 充电。 ±10m±10m±10m±10mV的电流检测压精度保证 电流检测压精度保证 电流检测压精度保证 电流检测压精度保证 电流检测压精度保证 电流检测压精度保证 电流检测压精度保证 电流检测压精度保证 电流检测压精度保证 电流检测压精度保证 放电过流准确触 放电过流准确触 放电过流准确触 放电过流准确触 放电过流准确触 放电过流准确触 放电过流准确触 发。
PT6303 PT6303PT6303PT6303PT6303的低功耗设计 让电池包在存储阶段只消耗 微不 足

性能特点 (除基本功能外的其它特质，例如工作时长、操作简便性等)

? 内置高精度电压检测电路：
? 过充电检测压：
VCOV = 4. = 4.= 4.2V to 4.3 V to 4.3V to 4.3 V to 4.3 75V ；25 mV/stepmV/stepmV/step mV/step mV/step
精度： ±25mV±25mV±25mV±25mV±25mV
? 过充电滞后压：
VCOVCOVCOVR = V COV - VΔCOVCOVCOV (0~300mV0~300mV 0~300mV0~300mV0~300mV0~300mV, 100mV/step100mV/step100mV/step100mV/step100mV/step 100mV/step100mV/step100mV/step)
精度： ±25mV±25mV±25mV±25mV±25mV
? 过放电检测压：
VCUV =2.3V to 2.9V =2.3V to 2.9V =2.3V to 2.9V =2.3V to 2.9V=2.3V to 2.9V =2.3V to 2.9V =2.3V to 2.9V；0.20.2 V/stepV/step V/stepV/stepV/step
精度： ±50mV0mV0mV
? 过放电滞后压：
VCUVCUVCUVR = VCUV + VΔCUVCUVCUV (0.30.3 V~ 0.90.9 V, 0.20.2 V/step V/stepV/step V/step)
精度： ±80mV±80mV±80mV±80mV±80mV
? 内置三段放电过电流检测电路：
? 过电流 1检测电压：
VPDOC1PDOC1 = 50m V / 75mV V / 75mV V / 75mV V / 75mV V / 75mV 100m100m100m100mV / 15 V / 15 V / 150m V
精度： ±10mV±10mV±10mV±10mV±10mV
? 过电流 2检测电压：
VPDOC2PDOC2 = 2* V = 2* V= 2* V PDOC1 PDOC1
精度： ±20mV
? 负载短路检测电压：
VPSC =4* V PDOC1PDOC1
精度： ±50mV±50mV±50mV±50mV±50mV
? 充电过电流检测电路：
VPCO C = 20mV / 320mV / 320mV / 320mV / 3 20mV / 3 0mV0mV0mV/ 40mV / Disable / 40mV Disable/ 40mV / Disable/ 40mV / Disable/ 40mV / Disable / 40mV Disable / 40mV Disable/ 40mV / Disable/ 40mV / Disable/ 40mV / Disable/ 40mV / Disable
精度： ±6mV @20mV @20mV@20mV
? 温度保护电路
? 放电过温 保护 DOT DOT
? 充电过温保护 COT COT
? 低消耗电流：
? 工作状态时： < 20μA
? 休眠 状态时： < 3μA
? 封装：MSOP-10

技术参数 (例如材质、工艺、尺寸的技术标准等)

极限参数(注1)
(无特别说明，Ta=25°C).
VCC
VCC pin voltage
VSS-0.3
VSS+25
V
VLM
LM pin voltage
VSS – 0.3
VCC + 0.3
V
VCDR
CDR pin voltage
VCC - 25
VCC + 0.3
V
VDDR
DDR pin voltage
VSS - 0.3
VCC + 0.3
V
VTS
TS pin voltage
VSS - 0.3
VSS+6
V
VIS
IS pin voltage
VSS - 0.3
VCC + 0.3
V
VB1-3
B1, B2, B3 pin voltage
VSS-0.3
VCC+0.3
V
VCEL2, VCEL3
VB2-VB1 , VB3-VB2 voltage
-5
VCC-VSS
V
PD
Power dissipation
0.15
W
TSTG
Storage temperature
-55
125
℃
注1：最大极限值是指超出该工作范围
工作范围.
VCC
Supply Voltage
3.2
15
V
VCEL1-3
Cell1, Cell2, Cell3 input voltage
2.0
4.5
V
TOPT
Operating temperature
-40
85
℃

使用说明 (例如使用场所、工作原理、产品结构、安全操作说明等)

功能描述
1. 上电过程
当电源接入，VCC上升，当VCC<VPOR，充放电MOSFET默认关闭。当VCC≥VPOR，PT6303启动并检测电池电压和温度。如果没有COV和COT事件，充电MOSFET打开。如果没有CUV和DOT事件，且负载断开或者充电器插入，放电MOSFET打开，PT6303 进入正常工作状态。
2. 放电过电流保护
PT6303有三段放电过电流保护功能。
PDOC1：当VCS≥VPDOC1且延迟时间TD≥TPDOC1，PDOC1触发，放电MOSFET关闭。
PDOC2：当VCS≥VPDOC2且延迟时间TD≥TPDOC2，PDOC2触发，放电MOSFET关闭。
PSC：当VCS≥VPSC且延迟时间TD≥TPSC，PSC触发，放电MOSFET关闭
PDOC1，PDOC2和PSC只有在负载移除时才会解除。
3. 充电过电流保护
PT6303有充电过电流保护功能。
PCOC：当-VCS≥VPCOC且延迟时间TD≥TPCOC，PCOC触发，充电MOSFET关闭。
PCOC需要延迟时间恢复（恢复延迟为TPCOCR）或放电恢复，或者通过应用实现充电器移除恢复。
当PCOC功能被取消时，IS引脚可以用于检测放电MOSFET的RDSON以节省采样电阻。
4. 温度保护
在正常工作条件下，PT6303通过一个B=3950的104AT热敏电阻周期性检测温度。
COT：PT6303一旦连续检测到电池组的温度高于充电过温保护阈值tCOT两次，充电过温保护事件COT触发，充电MOSFET关闭。如果芯片检测到电池处于放电状态，充电MOSFET打开。
芯片一旦连续检测到电池组的温度低于充电过温恢复阈值tCOTR两次，充电过温保护事件就会解除，充电MOSFET打开。
DOT：PT6303一旦检测到电池组的温度高于放电过温保护阈值tDOT，放电过温保护事件DOT触发，充放电MOSFET同时关闭。
芯片一旦检测到电池组的温度低于放电过温恢复阈值tDOTR，放电过温保护事件解除。如果负载开路或者充电器插入，充放电MOSFET打开。
5. 过充电保护
PT6303周期性检测电芯电压，一旦任何一节电池电压连续两次超过VCOV，PT6303进入过充电保护状态(COV)，充电MOSFET关闭。在COV状态，PT6303一旦检测到放电电流，充电MOSFET打开。
如果芯片检测到每节电池的电压连续两次低于VCOVR，PT630 出过充电状态，此时若无其他充电保护事件，则打开充电MOSFET。
6. 过放电保护
PT6303一旦检测到任何一节电池电压连续两次低于VCUV，PT6303就进入过放电保护状态(CUV)，放电MOSFET关闭，同时打开充电器检测功能。
如果没有其他保护事件，且超过8秒无充电器插入，PT6303进入待机状态，芯片功耗降低至3μA以下。一旦检测到充电器插入，芯片退出待机状态。
如果芯片检测到每节电池的电压连续两次高于VCUVR，PT630 出过放电状态。如果芯片检测到负载移除，且无其他放电保护事件，则打开放电MOSFET。。
7. 关断状态
一旦VCC的电压降低至VPOR-DW以下，芯片进入关断模式，充放电MOSFETs全部关闭，芯片功耗降低至1μA以下。

采购须知 (例如发货时间、运输方式、售后服务事项等)