半绝缘型碳化硅晶棒生产商

150毫米(6英寸)碳化硅晶棒4H导电型及半绝缘型碳化硅晶锭生产定制。低缺陷密度的碳化硅衬底及外延，价格优惠，欢迎来电询价。

碳化硅具有优良的热学、力学、化学和电学性质，不但是制作高温、高频、大功率电子器件的材料之一，而且可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料，打破了蓝宝石一统天下的局面，尤其在路灯和室外照明领域具有巨大的市场潜力。在半导体领域常用的SiC是4H-SiC。碳化硅功率二极管有3种类型：肖特基二极管（SBD），PIN二极管和结势垒控制肖特基二极管（JBS）。由于存在肖特基势垒，SBD具有较低的结势垒高度，因此SBD具有低正向电压的优势。碳化硅SBD的出现将SBD的应用范围从250V提高到1200V。同时，其高温特性好，从室温到由管壳限定的175℃，反向漏电流几乎没有增加。在3kV以上的整流器应用领域，碳化硅PiN和碳化硅JBS二极管由于比硅整流器具有高的击穿电压、快的开关速度以及小的体积和轻的重量而备受关注。